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NE68133-T1B分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE68133-T1B |
| 参数属性 | NE68133-T1B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
663.14 Kbytes |
| 页面数量 |
21 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-2 18:26:00 |
| 人工找货 | NE68133-T1B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE68133-T1B规格书详情
NE68133-T1B属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE68133-T1B晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
NE68133-T1B-R33-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOT-143 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
NEC |
25+ |
SOP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SOT143 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ZXV |
SOT-23 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
NEC |
22+ |
SOT143 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
4000 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
26544 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
原厂正品 |
23+ |
SOT523 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
