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NE85619-T1-A	文件：831.88 Kbytes Page：26 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NE85619-T1-A	文件：832.78 Kbytes Page：26 Pages	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CELDUCcelduc Relais 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC
NE85619-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-523；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523	CEL California Eastern Labs	CEL
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产品属性

产品编号：
NE85619-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
4.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-523
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

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