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NE350184C	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz •Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS •20GHz-bandDBSLNB •OtherK-bandcommunicationsystems	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE350184C	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTORK-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz •Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS •20GHz-bandDBSLNB •OtherK-bandcommunicationsystems	CEL California Eastern Labs	CEL

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TECTE Connectivity Ltd

泰科电子泰科电子有限公司

TEC

NE350184C

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HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz •Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS •20GHz-bandDBSLNB •OtherK-bandcommunicationsystems

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NE350184C

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HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTORK-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

K-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigureandhighassociatedgain NF=0.7dBTYP.,Ga=13.5dBTYP.@f=20GHz •Micro-Xceramic(84C)package APPLICATIONS •20GHz-bandDBSLNB •OtherK-bandcommunicationsystems

CEL

California Eastern Labs

CEL

详细参数

型号：
NE350184C-A
功能描述：
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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深圳市拓亿芯电子有限公司	NE350184C-T1	NEC	23+	84C	15000	全新原装现货,价格优势	询价
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