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NE3511S02-T1C-A	文件：288.54 Kbytes Page：10 Pages	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Micro-X plastic (S02) package APPLICATIONS • X to Ku-band DBS LNB • Other X to Ku-band communication systems 文件：288.54 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE3511S02-T1C-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC AMP RF LNA 13.5DB S02	CEL	CEL
NE3511S02-T1D	文件：210.08 Kbytes Page：11 Pages	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：210.08 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE3511S02-T1D	文件：288.54 Kbytes Page：10 Pages	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Micro-X plastic (S02) package APPLICATIONS • X to Ku-band DBS LNB • Other X to Ku-band communication systems 文件：288.54 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE3511S02-T1D-A	文件：288.54 Kbytes Page：10 Pages	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz • Micro-X plastic (S02) package APPLICATIONS • X to Ku-band DBS LNB • Other X to Ku-band communication systems 文件：288.54 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL

产品属性

产品编号：
NE3511S02-T1C-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
HFET
频率：
12GHz
增益：
13.5dB
额定电流（安培）：
70mA
噪声系数：
0.3dB
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
S02
描述：
IC AMP RF LNA 13.5DB S02

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NE3511S02-T1C-A	CEL	2022+	S02	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	NE3511S02-T1C-A	RENESAS(瑞萨)/IDT	20+	S02	2000		询价
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更多NE3511S02-T1C-A供应商更新时间2025-10-4 15:01:00

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