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深圳市明嘉莱科技有限公司

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RENESAS/瑞萨明嘉莱只做原装正品现货

2510000

1645+

TO-50

深圳市正纳电子有限公司

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13年 留言

Renesas(瑞萨)原厂封装

32078

26+

10年以上分销商,原装进口件,服务型企业

深圳市胜彬电子有限公司

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NECSMT

3000

22+

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原装正品,支持实单

万三科技(深圳)有限公司

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NEC(日电电子)封装

500000

25+

1+
:¥0.001

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市润联芯城科技有限公司

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3年 留言

RENESASSMT-86

50000

23+

只做原装正品

深圳市赛美科科技有限公司

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RENESAS连接器

123500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市英瑞尔电子科技有限公司

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NECSMT86

598000

24+

原装现货假一赔十

深圳市晨豪科技有限公司

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RENESASSMT-86

89630

23+

当天发货全新原装现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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NEC

8540

2450+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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7年 留言

Renesas(瑞萨)标准封装

7768

24+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市纳艾斯科技有限公司

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RENESASSMT86

80000

24+

只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市川科科技有限公司

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6年 留言

RENESAS-瑞萨SMT-贴片

78800

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市川科科技有限公司

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RENESAS-瑞萨SMT-贴片

18800

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市华斯顿科技有限公司

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Renesas(瑞萨)

36478

26+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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RENESAS/瑞萨TO-50

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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N/ANA

880000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市创新迹电子有限公司

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RENESAS/瑞萨15+

20000

22+

公司只做原装 品质保障

万三科技(深圳)有限公司

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Renesas(瑞萨)-

500000

25+

1+
:¥0.001

源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市明嘉莱科技有限公司

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NECTO-50

880000

06+

明嘉莱只做原装正品现货

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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RENESAS/瑞萨TO-251

86720

26+

全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

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NE3512S02-T1C-A价格

NE3512S02-T1C-A价格:¥3.5101品牌:CEL

生产厂家品牌为CEL的NE3512S02-T1C-A多少钱,想知道NE3512S02-T1C-A价格是多少?参考价:¥3.5101。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NE3512S02-T1C-A批发价格及采购报价,NE3512S02-T1C-A销售排行榜及行情走势,NE3512S02-T1C-A报价。

NE3512S02-T1D-A/JT资讯

NE3512S02-T1D-A/JIT

NE3512S02-T1D-A/JIT,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

NE3512S02

NE3512S02,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

NE3512S02-T1D

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NE3512S02-T1D-A

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NE3512S02制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3512S02-A功能描述:射频GaAs晶体管 C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE3512S02-T1C制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3512S02-T1C-A功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE3512S02-T1D制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3512S02-T1D-A功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: