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NE3509M14

N-Channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier

文件:208.59 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NE3509M14

RF Devices

Renesas

瑞萨

NE3509M14_15

N-Channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier

文件:219.98 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NE4210S01-T1B

SMT-86

NE5500234-T1-AZ

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

技术参数

  • Application:

    L to C-Band

  • Target application:

    DAB

  • Function:

    LNA

  • f at NF (GHz):

    2

  • NF (dB) typ.:

    0.4

  • VDS [V]:

    4

  • Ga(dB) typ.:

    18.5

  • f at Ga (GHz):

    2

  • IDSS (mA) min.:

    30

  • IDSS (mA) max.:

    60

  • Nch/Pch:

    Nch

  • Production Status:

    Mass Production

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更多NE3509M14供应商 更新时间2026-1-31 11:10:00