首页 >NE3515S02-A>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

NE3515S02-A

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02

HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr

CEL

California Eastern Labs

NE3515S02

XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NE3515S02-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 额定电流(安培):

    88mA

  • 噪声系数:

    0.3dB

  • 功率 - 输出:

    14dBm

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
2022+
S02
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
CEL
22+
S02
9000
原厂渠道,现货配单
询价
CEL
23+
S02
9000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS
24+
NA
2000
进口原装正品优势供应
询价
RENESAS
24+
S0-2
32890
长期供应原装现货实单可谈
询价
CEL
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
RENESAS
21+
SMT84
1458
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
询价
Renesas(瑞萨)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
RENESAS/瑞萨
21+
SMT84
10000
全新原装 公司现货 价格优
询价
RENESAS/瑞萨
23+
S02
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多NE3515S02-A供应商 更新时间2025-7-25 15:01:00