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NE5532DR	文件：632.58 Kbytes Page：24 Pages	丝印：N5532；Package：SOIC；NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers 1 Features 1• Equivalent Input Noise Voltage: 5 nV/√Hz Typ at 1 kHz • Unity-Gain Bandwidth: 10 MHz Typ • Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ • High DC Voltage Gain: 100 V/mV Typ input• Peak-to-Peak Output Voltage Swing 26 V Typ With VCC± = ±15 V and RL = 600 Ω • High Slew Rate: 9 V/μs 文件：632.58 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR	文件：966.41 Kbytes Page：23 Pages	Dual Low-Noise Operational Amplifiers 文件：966.41 Kbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR	文件：69.84 Kbytes Page：10 Pages	DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：69.84 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR	文件：488.36 Kbytes Page：14 Pages	DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：488.36 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR	文件：439.52 Kbytes Page：13 Pages	DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：439.52 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR.A	文件：632.58 Kbytes Page：24 Pages	丝印：N5532；Package：SOIC；NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers 1 Features 1• Equivalent Input Noise Voltage: 5 nV/√Hz Typ at 1 kHz • Unity-Gain Bandwidth: 10 MHz Typ • Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ • High DC Voltage Gain: 100 V/mV Typ input• Peak-to-Peak Output Voltage Swing 26 V Typ With VCC± = ±15 V and RL = 600 Ω • High Slew Rate: 9 V/μs 文件：632.58 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DRE4	文件：632.58 Kbytes Page：24 Pages	丝印：N5532；Package：SOIC；NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers 1 Features 1• Equivalent Input Noise Voltage: 5 nV/√Hz Typ at 1 kHz • Unity-Gain Bandwidth: 10 MHz Typ • Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ • High DC Voltage Gain: 100 V/mV Typ input• Peak-to-Peak Output Voltage Swing 26 V Typ With VCC± = ±15 V and RL = 600 Ω • High Slew Rate: 9 V/μs 文件：632.58 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DRG4	文件：632.58 Kbytes Page：24 Pages	丝印：N5532；Package：SOIC；NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers 1 Features 1• Equivalent Input Noise Voltage: 5 nV/√Hz Typ at 1 kHz • Unity-Gain Bandwidth: 10 MHz Typ • Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ • High DC Voltage Gain: 100 V/mV Typ input• Peak-to-Peak Output Voltage Swing 26 V Typ With VCC± = ±15 V and RL = 600 Ω • High Slew Rate: 9 V/μs 文件：632.58 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DRG4.A	文件：632.58 Kbytes Page：24 Pages	丝印：N5532；Package：SOIC；NE5532x, SA5532x Dual Low-Noise Operational Amplifiers 1 Features 1• Equivalent Input Noise Voltage: 5 nV/√Hz Typ at 1 kHz • Unity-Gain Bandwidth: 10 MHz Typ • Common-Mode Rejection Ratio: 100 dB Typ • High DC Voltage Gain: 100 V/mV Typ input• Peak-to-Peak Output Voltage Swing 26 V Typ With VCC± = ±15 V and RL = 600 Ω • High Slew Rate: 9 V/μs 文件：632.58 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
NE5532DR2	文件：170.42 Kbytes Page：10 Pages	Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier 文件：170.42 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NE5532DR
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Low Noise Op
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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