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NE38018	文件：94.23 Kbytes Page：16 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES ○ Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz 4 pins super mini mold package Wg = 800 µm 文件：94.23 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE38018	文件：68.4 Kbytes Page：9 Pages	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) DESCRIPTION The NE38018 is a low cost gallium arsenide Hetero-Junction FET housed in a miniature (SOT-343) plastic surface mount package. The device is fabricated using ion implantation for improved RF and DC performance, reliability, and uniformity. Its low noise figure, high gain, small size an 文件：68.4 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NE38018	文件：236.4 Kbytes Page：13 Pages	Hetero Junction Field Effect transistor FEATURES • Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB TYP., Ga = 14.5 dB TYP., OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) TYP. @ f = 2 GHz NF = 0.4 dB TYP., Ga = 20 dB TYP. @ f = 900 MHz • 4 pins super mini mold package • Wg = 800 μ m 文件：236.4 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE38018	文件：67.52 Kbytes Page：9 Pages	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) 文件：67.52 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE38018	文件：300 bytes Page：1 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET	Renesas 瑞萨	Renesas
NE38018-T1	文件：236.4 Kbytes Page：13 Pages	Hetero Junction Field Effect transistor FEATURES • Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB TYP., Ga = 14.5 dB TYP., OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) TYP. @ f = 2 GHz NF = 0.4 dB TYP., Ga = 20 dB TYP. @ f = 900 MHz • 4 pins super mini mold package • Wg = 800 μ m 文件：236.4 Kbytes 页数：13 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE38018-T1	文件：94.23 Kbytes Page：16 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES ○ Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz 4 pins super mini mold package Wg = 800 µm 文件：94.23 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE38018-T2	文件：94.23 Kbytes Page：16 Pages	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES ○ Super Low noise figure & High Associated Gain NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz 4 pins super mini mold package Wg = 800 µm 文件：94.23 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE38018_00	文件：67.52 Kbytes Page：9 Pages	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) 文件：67.52 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE38018-TI-67	文件：67.52 Kbytes Page：9 Pages	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) 文件：67.52 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC

详细参数

型号：
NE38018
功能描述：
MOSFET L-S Band Lo No Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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