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RDD020N60	文件：540.63 Kbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RDD020N60	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZDS020N60	文件：1.15785 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
ZDS020N60TB	文件：562.6 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多NCEP020N60AGU供应商更新时间2024-6-19 15:34:00

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