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NDB6020P	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheselogiclevelP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB6020P	文件：344.29 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6020	文件：376.54 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingNationalsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingper	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6020	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6020P	文件：1.73735 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP6020P	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6020P	文件：289.56 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NI6020E	文件：257.26 Kbytes Page：11 Pages	Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs	NI National Instruments Inc.	NI
NR-6020	文件：913.37 Kbytes Page：22 Pages	PleasereadthisnoticebeforeusingtheTAIYOYUDENproducts PleasereadthisnoticebeforeusingtheTAIYOYUDENproducts. SMDPOWERINDUCTORS(NRSERIES/NRSERIESHTYPE/STYPE/VTYPE)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
NR-6020	文件：811.03 Kbytes Page：22 Pages	PleasereadthisnoticebeforeusingtheTAIYOYUDENproducts. PleasereadthisnoticebeforeusingtheTAIYOYUDENproducts. SMDPOWERINDUCTORS(NRSERIES/NRSERIESHTYPE/STYPE/VTYPE)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN

详细参数

型号：
NDB6020P
功能描述：
MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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