NDB6020P数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDB6020P规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
-24 A, -20 VrDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -4.5 VrDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -2.7 VrDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -2.5 V
Critical DC Electrical Parameters Specified at Elevated Temperature
RuggedInternal Source-Drain Diode Can Eliminate The Need For An External Zener Diode Transient Suppressor
175°C Maximum Junction Temperature Rating
High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
TO-220 and TO-263 (D2PAK) Package For Both Through Hole And Surface Mount Applications
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDB6020P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-24
- PD Max (W)
：60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：36
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：1590
- Package Type
：D2PAK-3 / TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild |
1706+ |
TO-263 |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
FAIR |
22+ |
TO263 |
3000 |
全新原装现货!自家库存! |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263(D2PAK) |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
30000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 |
