NDB6020P中文资料P 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，-20V，-24A，50mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些逻辑电平P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

特性 Features

-24 A, -20 VrDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -4.5 VrDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -2.7 VrDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -2.5 V
Critical DC Electrical Parameters Specified at Elevated Temperature
RuggedInternal Source-Drain Diode Can Eliminate The Need For An External Zener Diode Transient Suppressor
175°C Maximum Junction Temperature Rating
High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
TO-220 and TO-263 (D2PAK) Package For Both Through Hole And Surface Mount Applications

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.