NDB5060L数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDB5060L规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
•26 A，60 V。 RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS= 5 V，RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS= 10 V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDB5060L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：16
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：26
- PD Max (W)
：68
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：840
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
TO-263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
3300 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NS |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1844+ |
T0220 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
