NDB5060L中文资料N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 60V，26A，35mΩ数据手册ONSEMI规格书
NDB5060L规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
•26 A，60 V。 RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS= 5 V，RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS= 10 V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDB5060L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：16
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：26
- PD Max (W)
：68
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：26
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：17
- Ciss Typ (pF)
：840
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
9748+ |
TO-263 |
162 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
onsemi(安森美) |
20+ |
TO-263AB |
800 |
询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
15896 |
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询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-2632L(D2PAK) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILDSEM |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 |
