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NDS9410A	文件：230.94 Kbytes Page：8 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410A-NL	文件：1.08619 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS9410-NL	文件：1.00397 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS9410S	文件：329.49 Kbytes Page：10 Pages	SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9410S-NL	文件：1.004 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NK9410D	文件：1.00395 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OPA9410	文件：112.24 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
OPA9410EDD	文件：102.61 Kbytes Page：1 Pages	InfraredLEDChip	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
PBSS9410PA	文件：290.01 Kbytes Page：16 Pages	100V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapability. NPNcomplement:PBSS8510PA. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PCA-9410	文件：731.78 Kbytes Page：3 Pages	PulsedVoltageSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI

详细参数

型号：
NDS9410A
功能描述：
MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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