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NDS8410	文件：265.68 Kbytes Page：10 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Thes 文件：265.68 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8410	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDS8410A	文件：265.5 Kbytes Page：10 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description This N-Channel MOSFET are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low 文件：265.5 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8410S	文件：264.86 Kbytes Page：10 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These 文件：264.86 Kbytes 页数：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8410A	文件：187.46 Kbytes Page：5 Pages	Single 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：187.46 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8410A_04	文件：187.46 Kbytes Page：5 Pages	Single 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：187.46 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8410A-NL	文件：1.00399 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00399 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NDS8410A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDS8410S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NDS8410
功能描述：
MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NDS8410供应商更新时间2025-10-8 11:18:00

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