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LCE30P12S	文件：962.79 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE30P12BS	文件：714.95 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P12BSusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwith gatevoltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseas aloadswitchorinPWMapplications.GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE30P12S	文件：370.74 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE30P12S	文件：1.00265 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE30P12S	文件：962.79 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PE30P12S	文件：1.65127 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

更多NCE30P12S-YS供应商更新时间2024-4-30 16:08:00