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MMBT5089LT1G	文件：198.17 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistors NPN Silicon Low Noise Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：198.17 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5089LT1G	文件：188.93 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistors Low Noise Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：188.93 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5089LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SMMBT5089LT1G	文件：188.93 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistors Low Noise Transistors NPN Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：188.93 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT5089LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT5089LT1G	ONSEMI/安森美	25+	SOT23	37297	ONSEMI/安森美全新特价MMBT5089LT1G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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