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MMBT5550	文件：74.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN (HIGH VOLTAGE TRANSISTOR) NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
MMBT5550	文件：84.77 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON HighVoltageTransistor NPNSilicon	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司
MMBT5550	文件：105.02 Kbytes Page：6 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
MMBT5550	文件：321.46 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage NPN Transistors HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
MMBT5550	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
MMBT5550	文件：43.56 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Transistors Features ●NPNSilicon	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
MMBT5550	文件：200.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
MMBT5550	文件：232.28 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulate Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof225mWattsofPowerDissipation •Marking:M1F •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
MMBT5550	文件：720.57 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
MMBT5550	文件：634.91 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
MMBT5550	文件：653.69 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
MMBT5550	文件：1.21903 Mbytes Page：4 Pages	NPN Silicon NPNSilicon	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司
MMBT5550	文件：475.76 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
MMBT5550	文件：127.52 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors NPN Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5550	文件：170.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
MMBT5550	文件：279.47 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
MMBT5550	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5550G	文件：218.34 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors Leadfreeproduct FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司
MMBT5550L	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5550LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉

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晶体管资料

型号：
MMBT5550
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK104F,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
160
htest：
999900
atest：
.6
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBT5550
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT5550供应商更新时间2024-4-27 9:47:00

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