| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MMBT5551 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401). ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
MMBT5551 | High Voltage NPN Transistors HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free | WEITRONWEITRON 威堂電子科技 | WEITRON | |
MMBT5551 | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR ■FEATURES *HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V *Highcurrentgain | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | |
MMBT5551 | Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | Diotec | |
MMBT5551 | NPN General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | |
MMBT5551 | General Purpose Transistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C | SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH | SECOS | |
MMBT5551 | TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | |
MMBT5551 | PNP Plastic Encapsulate Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V •OperatingAndStorageTemperatures–55OCto150OC •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:G1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(P | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 | MCC | |
MMBT5551 | NPN General Purpose Amplifier Description Thisdeviceisdesignedforgeneral-purposehigh-voltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | |
MMBT5551 | NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant •GreenDevice(Notes2and3) | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 | DIODES | |
MMBT5551 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forhighvoltageamplifierapplications. | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC | |
MMBT5551 | HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON HighVoltageTransistor NPNSilicon | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | ZOWIE | |
MMBT5551 | NPN High Voltage Transistor ■FEATURES NPNHighVoltageTransistor | GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. | GSME | |
MMBT5551 | Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier. | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN | |
MMBT5551 | NPN Transistors Features ●HighVoltageTransistors ●Pb-FreePackagesareAvailable | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | YFWDIODE | |
MMBT5551 | High Voltage Transistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. | YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司 | YEASHIN | |
MMBT5551 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | |
MMBT5551 | NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE160VoltsPOWER250mWatts FEATURES •NPNSilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=160V •CollectorcurrentIC=300mA •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | PANJIT | |
MMBT5551 | High Voltage Transistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | LEIDITECH | |
MMBT5551 | SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5401 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | JIANGSU |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_宽频带放大 （A）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
180V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
180
- htest：
999900
- atest：
.6
- wtest：
.3
产品属性
- 产品编号：
MMBT5551
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
SOT-23 |
90000 |
询价 | |||
CJ/长晶 |
24+ |
SOT-23 |
45000 |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2024+原装现货 |
SOT23 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
ON |
2122+ |
SOT363 |
16000 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
CJ |
22+ |
SOT-23 |
10000 |
原装,现货 |
询价 | ||
JCET |
201805 |
9000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
GOODWORK/固得沃克 |
23+ |
SOT-23 |
15800 |
新到现货,只有原装 |
询价 | ||
CJ长电 |
2010 |
SOT23 |
2939 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-23 |
154465 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
23+ |
原厂封装 |
20839 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
询价 |
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