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MMBT5401	文件：171.61 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT5401	文件：83.61 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PNP SILICON HighVoltageTransistorPNPSilicon	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT5401	文件：109.53 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5401	文件：47.95 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNType-MMBT5551 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRe	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT5401	文件：67.39 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5401	文件：291.76 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage PNP Transistors HighVoltagePNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT5401	文件：84.47 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=-150V CollectorDissipation:Pc(max)=350mW *Highcurrentgain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5401	文件：106.57 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Universaltransistoren fur die Oberflahenmontage Powerdissipation–Verlustleistung250mW PlasticcaseSOT-23 Weightapprox.–Gewichtca.0.01g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT5401	文件：183.52 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT5551). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5401	文件：1.11408 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highvoltage,complementaryPairwithMMBT5551. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5401	文件：2.21503 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) Features ●ComplementarytoMMBT5551 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MMBT5401	文件：562.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors Features ●HighVoltageTransistors ●Pb-FreePackagesareAvailable	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT5401	文件：141.95 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMBT5551 Idealformediumpoweramplificationandswitching	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED	MAKOSEMI
MMBT5401	文件：191.86 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMBT5551 Idealformediumpoweramplificationandswitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMBT5401	文件：377.03 Kbytes Page：3 Pages	PNP High Voltage Transistor ■FEATURES PNPHighVoltageTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
MMBT5401	文件：1.25022 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMBT5401	文件：1.05535 Mbytes Page：4 Pages	PNP silicon PNPSilicon	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5401	文件：1.72705 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMBT5551 IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT5401	文件：1.34301 Mbytes Page：4 Pages	PNP Switching Transistor Features -EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating. -MoisturesensitivityLevel1.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMBT5401	文件：602.29 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMBT5551 IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	UMWUMW 友台友台半导体	UMW

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晶体管资料

型号：
MMBT5401
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CA3F,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
160
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBT5401
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

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更多MMBT5401供应商更新时间2024-5-16 14:17:00

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