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MMBT5401	文件：169.56 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
MMBT5401	文件：378.97 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMBT5551 ●Idealformediumpoweramplificationandswitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBT5401	文件：68.87 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulate Transistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:2L •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT5401	文件：117.42 Kbytes Page：3 Pages	General PurposeTransistor FEATURES Idealformediumpoweramplificationandswitching	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT5401	文件：853.5 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT5401	文件：143.69 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose NPN Transistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT5401	文件：315.9 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT5401	文件：360.14 Kbytes Page：4 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT5401	文件：145.91 Kbytes Page：2 Pages	SMD General Purpose PNP Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT5401	文件：267.09 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
MMBT5401	文件：1.45881 Mbytes Page：4 Pages	PNP Transistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBT5401	文件：557.93 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors	SHENZHENSLSSHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD. 赛尔斯深圳市赛尔斯科技有限公司	SHENZHENSLS
MMBT5401	文件：439.39 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT5401	文件：704.86 Kbytes Page：5 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
MMBT5401	文件：1.17043 Mbytes Page：2 Pages	PNP Transistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT5401	文件：104.95 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5401	文件：183.3 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Transistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT5401	文件：168.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP Plastic Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT5401	文件：111.52 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
MMBT5401	文件：128.27 Kbytes Page：4 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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晶体管资料

型号：
MMBT5401
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CA3F,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
160
htest：
999900
atest：
.5
wtest：
.3

产品属性

产品编号：
MMBT5401
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

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更多MMBT5401供应商更新时间2024-6-5 13:34:00

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