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MMBTA70	文件：24.65 Kbytes Page：1 Pages	PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：24.65 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
MMBTA70	文件：41.98 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor Features ● General Purpose Transistor 文件：41.98 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBTA70LT1	文件：289.86 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) General Purpose Transistor PNP Silicon 文件：289.86 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBTA70LT1	文件：434 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon 文件：434 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MMBTA70LT1	文件：434 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) General Purpose Transistor PNP Silicon 文件：434 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA70LT1G	文件：245.98 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：245.98 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA70	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)	Samsung 三星	Samsung
MMBTA70L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Bipolar Transistor The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space\n• Pb-Free Package is Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA70LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon)	LRC 乐山无线电	LRC
MMBTA70LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMBTA70
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DG120C,
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.35

详细参数

型号：
MMBTA70
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 40V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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