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MMBTA70LT1G	文件：245.98 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：245.98 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBTA70LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBAS70LT1G	文件：88.82 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes Schottky Barrier Diodes These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where 文件：88.82 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBAS70LT1G	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed Low Forward Voltage 文件：131.99 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBAS70LT1G	文件：164.88 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：164.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBTA70LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 5mA，10V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MMBTA70LT1G	LRC	24+	SOT-23	30000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MMBTA70LT1G	ON/安森美	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多MMBTA70LT1G供应商更新时间2025-12-14 13:30:00

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