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MMBV109	文件：146.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epicap Diode 26–32 pF VOLTAGE VARIABLE CAPACITANCE DIODES Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid–state reliability in replacement of mechanical tuning methods. • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ra 文件：146.3 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBV109LT1	文件：146.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epicap Diode 26–32 pF VOLTAGE VARIABLE CAPACITANCE DIODES Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid–state reliability in replacement of mechanical tuning methods. • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ra 文件：146.3 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBV109LT1	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epicap Diodes Silicon Epicap Diodes Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Features • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ratio • Available i 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT1G	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epicap Diodes Silicon Epicap Diodes Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Features • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ratio • Available i 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT3	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epicap Diodes Silicon Epicap Diodes Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Features • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ratio • Available i 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT3G	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Epicap Diodes Silicon Epicap Diodes Designed for general frequency control and tuning applications; providing solid−state reliability in replacement of mechanical tuning methods. Features • High Q with Guaranteed Minimum Values at VHF Frequencies • Controlled and Uniform Tuning Ratio • Available i 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT1	文件：69.88 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Epicap Diodes 文件：69.88 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE TUNING SS 30V SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE TUNING SS 30V SOT-23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBV109LT3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE TUNING SS 30V SOT-23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电容比：
6.5
电容比条件：
C3/C25
电压 - 峰值反向（最大值）：
30V
二极管类型：
单一
不同 Vr，F 时的 Q 值：
200 @ 3V，50MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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