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MMBV109LT3G中文资料DIODE TUNING SS 30V SOT-23数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBV109LT3G

参数属性

MMBV109LT3G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING SS 30V SOT-23

功能描述

DIODE TUNING SS 30V SOT-23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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MMBV109LT3G规格书详情

简介

MMBV109LT3G属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由制造生产的MMBV109LT3G二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBV109LT3G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电容比

    :6.5

  • 电容比条件

    :C3/C25

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    :30V

  • 二极管类型

    :单一

  • 不同 Vr,F 时的 Q 值

    :200 @ 3V,50MHz

  • 工作温度

    :125°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23-3(TO-236)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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