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MMBV105GLT1G数据手册分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF

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厂商型号

MMBV105GLT1G

参数属性

MMBV105GLT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING SS 30V SOT23

功能描述

Silicon Tuning Diode
DIODE TUNING SS 30V SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:41:00

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MMBV105GLT1G规格书详情

简介

MMBV105GLT1G属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由制造生产的MMBV105GLT1G二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MMBV105GLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2.8pF @ 25V,1MHz

  • 电容比条件:

    C3/C25

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    250 @ 3V,50MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE TUNING SS 30V SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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