MMBTA70L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MMBTA70L |
参数属性 | MMBTA70L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3 |
功能描述 | PNP Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 20:00:00 |
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MMBTA70L规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
特性 Features
• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Pb-Free Package is Available
简介
MMBTA70L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBTA70L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
MMBTA70LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 5mA,10V
- 频率 - 跃迁:
125MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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