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MMBTA56W数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MMBTA56W

参数属性

MMBTA56W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

功能描述

PNP 双极晶体管
TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 20:00:00

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MMBTA56W规格书详情

描述 Description

This PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating: Human Body Model - 4 kVMachine Model - 400 V
• Pb-Free Package is Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

简介

MMBTA56W属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBTA56W晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTA56W

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :4

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.2

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :50

  • PTM Max (W)

    :0.15

  • Package Type

    :SC-70-3/SOT-323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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