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MMBTA63L中文资料PNP Bipolar Darlington Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBTA63L

参数属性

MMBTA63L 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS SS DARL PNP 30V SOT23

功能描述

PNP Bipolar Darlington Transistor
TRANS SS DARL PNP 30V SOT23

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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MMBTA63L规格书详情

描述 Description

This PNP Bipolar Darlington Transistor is designed for use in switching applications, such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• Pb-Free Packages are Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

简介

MMBTA63L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBTA63L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBTA63L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :0.5

  • V(BR)CEO Min (V)

    :30

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.5

  • hFE Min (k)

    :10

  • hFE Max (k)

    :-

  • fT Min (MHz)

    :125

  • Package Type

    :SOT-23-3

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