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MMBT5551M3T5G	文件：156.88 Kbytes Page：5 Pages	NPN High Voltage Transistor NPN High Voltage Transistor The MMBT5551M3 device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose high voltage applications and is housed in the SOT−723 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board spa 文件：156.88 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551M3T5G	文件：82.91 Kbytes Page：5 Pages	NPN High Voltage Transistor NPN High Voltage Transistor The MMBT5551M3 device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose high voltage applications and is housed in the SOT−723 surface mount package. This device is ideal for low−power surface mount applications where board spa 文件：82.91 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551M3T5G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5551M3T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.06A SOT723	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT5551M3T5G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SOT-723
描述：
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

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更多MMBT5551M3T5G供应商更新时间2025-12-12 16:03:00

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