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MMBT5550LT3G	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5550LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MMBT5550LT3G

文件：183.57 Kbytes

Page：6 Pages

High Voltage Transistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT5550LT3G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

LMBT5550LT3G

文件：135.91 Kbytes

Page：5 Pages

HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

产品属性

产品编号：
MMBT5550LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT5550LT3G	onsemi	23+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT5550LT3G	onsemi(安森美)	23+	SOT-23(TO-236)	7957	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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更多MMBT5550LT3G供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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