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MMBT5551LT1G

High Voltage Transistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT5551LT1G

High Voltage Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT5551LT1G

High Voltage Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

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MMBT5551LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

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SMMBT5551LT1G

HighVoltageTransistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

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WMBT5551LT1

NPNSiliconTransistor

NPNSiliconTransistor

WINGSWing Shing Computer Components

永盛电子永盛电子(香港)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT5551LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
22+
6900
只做原装 实单必成
询价
ON
2012
SOT23
208
全新原装 正品现货
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ONS
2015+
SOT-23
1608
公司原装现货,热卖中!
询价
ONS
2015+
SOT-23
1608
公司原装现货,热卖中!
询价
LRC
15+
SOT23
50000
深圳现货
询价
ON/安森美
24+
SOT-23
50000
进口原装现货
询价
ON
23+
SOT-23
20000
原装正品,支持检测
询价
ON
22+
SOT-23
6000
原装正品可支持验货,欢迎咨询
询价
ON
10+
SOT-23
2900
全新原装绝对自己公司现货
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23+
SOT-23
112500
专注原装正品现货特价中量大可定
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更多MMBT5551LT1G供应商 更新时间2023-10-9 11:26:00