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MMBT5551LT1G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
MMBT5551LT1G |
参数属性 | MMBT5551LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
功能描述 | High Voltage Transistors |
文件大小 |
97.56 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-29 15:02:00 |
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MMBT5551LT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的MMBT5551LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
MMBT5551LT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
259048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
3000 |
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询价 | ||
ON |
500 |
SOT-23 |
37 |
1927+ |
询价 | ||
ON(安森美) |
2112+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
105000 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
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询价 | ||
onsemi/安森美 |
22+ |
原装封装 |
285000 |
品质保证,信誉至上 |
询价 | ||
ON |
1415+ |
SOT-23 |
20000 |
询价 | |||
原厂 |
2021+ |
60000 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | |||
ON |
2021/51 |
6900000 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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