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MMBT3906-TP	文件：367.48 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3906T-TP	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SurfaceMountSOT-523Package •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:3N •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3906W	文件：115.33 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906W	文件：662.93 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V ●ComplementarytoMMBT3904W)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906W	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904W) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT3906W	文件：52.61 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •Generalpurposetransistor. •Pb?Freepackageisavailable.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906W	文件：284.95 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT3906W	文件：847.67 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906W	文件：213.55 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
MMBT3906WG	文件：102.6 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3906WGH	文件：84.73 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Leadfreeproduct Halogen-freetype	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
MMDT3906	文件：667.11 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3906	文件：1.50347 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3906	文件：262.81 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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产品属性

产品编号：
MMBT3906-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT3906-G	Comchip Technology	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	MMBT3906-G	Comchip	1706+	SOT23	8660	只做原装进口,假一罚十	询价
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更多MMBT3906-G供应商更新时间2024-6-3 17:09:00

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