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MMBT4126

丝印:ZF;Package:SOT-23;PNP General Purpose Amplifier

PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents to 10 µA as a switch and to 100 mA as an amplifier.

文件:94.23 Kbytes 页数:2 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

文件:33.38 Kbytes 页数:1 Pages

Samsung

三星

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMBT4124) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4)

文件:43.77 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

25V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Complementary NPN Type: MMBT4124 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

文件:345.34 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary NPN Type Available (MMBT4124) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

文件:167.11 Kbytes 页数:2 Pages

TRSYS

Transys Electronics

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:118.96 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

丝印:ZF;Package:SOT-23;PNP General Purpose Amplifier

文件:83.08 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:160.58 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

丝印:ZF;Package:SOT-23;FAIRCHILD Small Signal Transistors

文件:628.43 Kbytes 页数:1 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126

MMBT4126: PNP General Purpose Amplifier

该器件设计用于通用放大器和开关应用, 在集电极电流为10 µA时可作为开关, 集电极电流为100 mA可作为放大器。

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT4126

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 2mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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