MMBT4126分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBT4126 |
| 参数属性 | MMBT4126 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
33.38 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | Samsung semiconductor |
| 企业简称 |
SAMSUNG【三星】 |
| 中文名称 | 三星半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 18:03:00 |
| 人工找货 | MMBT4126价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT4126规格书详情
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号：
MMBT4126
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-23-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
15000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23-3 |
6000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
880000 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
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ON/安森美 |
21+ |
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SOT-23 |
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