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MMBT3906LT1G	文件：97.26 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MMBT3906LT1G	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControl ChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MMBT3906LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LMBT3906LT1	文件：142.91 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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MMBT3906LT1	文件：43.65 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
MMBT3906LT1	文件：226.55 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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MMBT3906LT1	文件：664.69 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon ●RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●Weight:0.008g	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司
MMBT3906LT1	文件：155.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •CollectorDissipation:Pc=225mW •ComplementaryPairwithMMBT3904LT1. •Collector-EmitterVoltage:VCEO=-40V •PNPEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
MMBT3906LT1	文件：221.88 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
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NSCT3906LT1G	文件：83.8 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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产品属性

产品编号：
MMBT3906LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

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