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MMBT3906-G	文件：120 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS Features -Epitaxialplanardieconstruction -Ascomplementarytype,theNPNtransistorMMBT3904-Gisrecommended	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906-H	文件：1.2733 Mbytes Page：2 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906-HF	文件：248.78 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Epitaxialplanardieconstruction -Ascomplementarytype,theNPNtransistorMMBT3906-HFisrecommended	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906-HF	文件：159.24 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMBT3906K	文件：58.9 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906K	文件：1.73086 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3906L	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906L	文件：262.01 Kbytes Page：5 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906L	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControl ChangeRequirements •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT3906-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

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更多MMBT3906-G供应商更新时间2025-7-19 15:10:00

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