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MMBT3906-TP	文件：367.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T-TP	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SurfaceMountSOT-523Package •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:3N •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906W	文件：284.95 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906W	文件：52.61 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •Generalpurposetransistor. •Pb?Freepackageisavailable.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3906W	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904W) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906W	文件：115.33 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906W	文件：662.93 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V ●ComplementarytoMMBT3904W)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906W	文件：847.67 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906W	文件：213.55 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT3906-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

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更多MMBT3906-TP供应商更新时间2025-7-20 14:13:00

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