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MMBT5401WT1G	文件：73.21 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：73.21 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401WT1G	文件：112.34 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor PNP Silicon Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：112.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401WT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HIGH VOLTAGE TRANSIST	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT5401WT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3

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