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MMBT3906-H

PNP Transistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

MMBT3906-HF

General Purpose Transistor

Features -Epitaxialplanardieconstruction -Ascomplementarytype,theNPNtransistorMMBT3906-HFisrecommended

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

MMBT3906-HF

General Purpose Transistor

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MMBT3906-HF_12

General Purpose Transistor

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MMBT3906-HF_15

PNP Transistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

MMBT3906-HF

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    MMBT3906-H

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 Transistor I=-200mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

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更多MMBT3906-H供应商 更新时间2025-7-20 19:57:00