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MMBT3906WT1G

General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

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ONSEMI

安森美半导体

MMBT3906WT1G

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−323/SC−70 package which is designed for low power surface mount applications. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Aut

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安森美半导体

MMBT3906WT1G

General Purpose Transistors

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MMBT3906WT1G

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3

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安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT3906WT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3

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更多MMBT3906WT1G供应商 更新时间2025-10-7 9:04:00