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MMBT3906WT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MMBT3906WT1G |
参数属性 | MMBT3906WT1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3 |
功能描述 | General Purpose Transistors |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
文件大小 |
166.33 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-9 23:00:00 |
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MMBT3906WT1G规格书详情
MMBT3906WT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MMBT3906WT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
MMBT3906WT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 5mA,50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,1V
- 频率 - 跃迁:
250MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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