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MMBT3906SL	文件：142.55 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultrasmallsurfacemountpackageforalltypes(max0.43mmtall) •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,NPNMMBT3904SLisrecommended. •Pbfree	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906SL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-923F；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT923F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906SL_12	文件：146.29 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：432.88 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：133.92 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,NPNMMBT3904Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMBT3904T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906T	文件：413.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906T	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SurfaceMountSOT-523Package •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:3N •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：779.3 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors FEATURES •SimplifiesCircuitDesign. •WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906T	文件：244.5 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

产品属性

产品编号：
MMBT3906SL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-923F
供应商器件封装：
SOT-923F
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT923F

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