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MMBT3906SL数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MMBT3906SL

参数属性

MMBT3906SL 封装/外壳为SOT-923F;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT923F

功能描述

MMBT3906SL: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 40V 0.2A SOT923F

封装外壳

SOT-923F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-15 17:01:00

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MMBT3906SL规格书详情

描述 Description

MMBT3906SL

特性 Features

通用放大器晶体管。
所有类型的超小型表面贴装封装(最大0.43mm高)
适合一般开关和放大应用
非常适合便携式应用
作为互补型,建议使用NPN MMBT3904SL。
无铅

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

MMBT3906SL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT3906SL晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT3906SL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = −50 mAdc

  • IC Cont. (A)

    :0.2

  • VCEO Min (V)

    :40

  • VCBO (V)

    :40

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 0.05 A

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 10mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = 10mA

  • fT Min (MHz)

    :250

  • PTM Max (W)

    :0.2

  • Package Type

    :SOT-1123-3

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