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MMBT3906LP中文资料PNP, 40V, 0.2A, DFN1006-3数据手册Diodes规格书

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厂商型号

MMBT3906LP

参数属性

MMBT3906LP 封装/外壳为3-UFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

功能描述

PNP, 40V, 0.2A, DFN1006-3
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

封装外壳

3-UFDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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MMBT3906LP规格书详情

描述 Description

Complementary NPN Type Available (MMBT3904LP)Ultra-Small Leadless Surface Mount PackageLead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant “Green” Device ESD rating: 200V-MM, 4KV-HBM
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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

MMBT3906LP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT3906LP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT3906LP

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :PNP

  • IC (A)

    :0.2 A

  • ICM (A)

    :0.2 A

  • PD (W)

    :0.25 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.01 A

  • hFE(Min 2)

    :30

  • hFE(@ IC2)

    :0.1 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :0.5/50

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :400 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.15/15

  • fT (MHz)

    :300 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :X1-DFN1006-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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