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深圳市壹芯创科技有限公司

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MMBT3906LT1G

ONSOT23

680000

22+

深圳市金胜达微科技有限公司

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MMBT3906LT1G(2A)

ONSOT23

60000

21+

原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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MMBT3906LT1G

ON/安森美SOT-23-3

35000

23+

1+
:¥0.888

热卖原装现货

深圳市乐创天科技有限公司

16年 留言
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ON(安森美)SOT23-3

1926

2012

原装正品现货

深圳市龙瀚电子有限公司

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ONSOT23

3500

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原装正品现货供应56

深圳市艾宇特电子科技有限公司

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ON/安森美1833

9850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市金启宁科技有限公司

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ON/安森美SOT23

50000

21+

只做原装

深圳市亿智腾科技有限公司

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ON/安森美SOT-23

3580

2021+

原装现货/15年行业经验欢迎询价

深圳市金华微盛电子有限公司

5年 留言
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ON/安森美SOT-23

36000

2019+

原盒原包装 可BOM配套

深圳市浩宇伟业电子有限公司

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on/

81000

21+

10年磨一剑!

深圳市东来宝电子科技有限公司

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ON/安森美SOT-23

59000

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郑重承诺只做原装进口现货

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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ON/安森美SOT23-3

5209

22++

原装正品!诚信经营,实单价优!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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ONSOT-23

518000

21+

明嘉莱只做原装正品现货

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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700000

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公主请下单 柒号只做原装

深圳市慧业盛科技有限公司

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原装原装原装哈

深圳市天成基业科技有限公司

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ON/安森美SOT-23

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全新、原装

深圳市天芯威科技有限公司

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ON(安森美)SOT-23

25900

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新到现货,只有原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ON/安森美SOT

9800

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市勤思达科技有限公司

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ONSOT-23

13227

2024

原装现货,欢迎咨询

深圳市赛尔通科技有限公司

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深圳市金亿隆电子科技有限公司电话07558520737615818751958QQ353296322联系人李小姐

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型号:MMBT3906LT1G品牌:ON封装:SOT-23PDF规格书:http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MMBT3906LT1-D.PDF标准包装:3,000包装:带卷(TR)电流-集电极(Ic)(最大):200mA电压-集电极发射极击穿(最大):40VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV@5mA,50mA在某Ic、Vce时的最小直流

MMBT3906LT1G清腾科技进口原装

MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G中文资料Alldatasheet PDF

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MMBT3906L-AE3-R制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION

MMBT3906L-AL3-R制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION

MMBT3906LP制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

MMBT3906LP-7功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT3906LP-7B功能描述:两极晶体管 - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT3906LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT3906LT1_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon

MMBT3906LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MMBT3906LT1H制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:ON Semiconductor