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MMBT3906L	文件：164.6 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：164.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906L	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：140.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906L	文件：262.01 Kbytes Page：5 Pages	350mW, PNP Small Signal Transistor FEATURES - Epitaxial planar die construction - Surface device type mounting - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) underplate - Pb free version and RoHS compliant - Packing code with suffix G means green compound (halogen-free) 文件：262.01 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
MMBT3906L	文件：846.5 Kbytes Page：9 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON DESCRIPTION The MMBT3906L is available in SO T 23 p ackage FEATURES ⚫ Availabl e in SO T 23 p ackage 文件：846.5 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
MMBT3906L-AE3	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2AL；Package：SOT-23；GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PD(MAX)=350mW * Complementary to UTC MMBT3904 文件：50.5 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT3906L-AE3-R	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PD(MAX)=350mW * Complementary to UTC MMBT3904 文件：50.5 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT3906L-AL3-R	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PD(MAX)=350mW * Complementary to UTC MMBT3904 文件：50.5 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT3906L-AN3	文件：50.5 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2AL；Package：SOT-523；GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Collector Dissipation: PD(MAX)=350mW * Complementary to UTC MMBT3904 文件：50.5 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT3906LP	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -40V • IC = -200mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary NPN Type MMBT3904LP • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 文件：162.54 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906LP-7	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -40V • IC = -200mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary NPN Type MMBT3904LP • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 文件：162.54 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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更多MMBT3906L供应商更新时间2025-10-6 14:01:00

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