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MMBT3906LP-7B	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PD=1000mWPowerDissipation •0.60mm2PackageFootprint,13timesSmallerthanSOT23 •0.5mmHeightPackageMinimizingOff-BoardProfile •ComplementaryNPNTypeMMBT3904LP •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3906LRFG	文件：262.01 Kbytes Page：5 Pages	350mW, PNP Small Signal Transistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3906LT1	文件：221.88 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT3906LT1	文件：97.26 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906LT1	文件：43.65 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT3906LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C JunctionTemper	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT3906LT1	文件：226.55 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3906LT1	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906LT1	文件：664.69 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon GeneralPurposeTransistors PNPSilicon ●RoHSproductforpackingcodesuffixG, HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH ●Weight:0.008g	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3906LT1	文件：155.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERALPURPOSETRANSISTOR •CollectorDissipation:Pc=225mW •ComplementaryPairwithMMBT3904LT1. •Collector-EmitterVoltage:VCEO=-40V •PNPEpitaxialSiliconTransistor	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3906LT1_07	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •Pb-FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT3906L
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
General Purpose Transistor(NPN Silicon)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT3906L供应商更新时间2025-7-20 10:20:00

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