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MMBT3906LP-7B	文件：162.54 Kbytes Page：5 Pages	40V PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > -40V • IC = -200mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary NPN Type MMBT3904LP • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 文件：162.54 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT3906LRFG	文件：262.01 Kbytes Page：5 Pages	350mW, PNP Small Signal Transistor FEATURES - Epitaxial planar die construction - Surface device type mounting - Moisture sensitivity level 1 - Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) underplate - Pb free version and RoHS compliant - Packing code with suffix G means green compound (halogen-free) 文件：262.01 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
MMBT3906LT1	文件：226.55 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：226.55 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT3906LT1	文件：221.88 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon 文件：221.88 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT3906LT1	文件：664.69 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon ● RoHS product for packing code suffix G, Halogen free product for packing code suffix H ● Weight : 0.008g 文件：664.69 Kbytes 页数：6 Pages	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3906LT1	文件：43.65 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT3906LT1 is designed for general purpose switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C Junction Temper 文件：43.65 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT3906LT1	文件：155.6 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR • Collector Dissipation:Pc=225mW • Complementary Pair with MMBT3904LT1. • Collector-Emitter Voltage: VCEO=-40V • PNP Epitaxial Silicon Transistor 文件：155.6 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT3906LT1	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available 文件：96.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906LT1	文件：97.26 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(PNP Silicon) General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available 文件：97.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906LT1_07	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available 文件：96.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.4
IC Cont. (A)：
0.2
VCEO Min (V)：
40
VCBO (V)：
40
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.95
hFE Min：
100
hFE Max：
300
fT Min (MHz)：
250
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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