MMBDT3904规格书应用电路贸易商美微科-114ic电子网

首页 >MMBDT3904>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
MMBT3904	文件：64.43 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3904	文件：55.72 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23 Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3904	文件：136.67 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ◆NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ◆Ascomplementarytype,thePNP transistorMMBT3906isrecommended. ◆ThistransistorisalsoavailableintheTO-92 casewiththetypedesignation2N3904.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT3904	文件：99.47 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand200mAIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3904	文件：200.25 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable (MMBT3906) •IdealforMediumPowerAmplificationand Switching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT3904	文件：121.63 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICON GeneralPurposeTransistor NPNSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3904	文件：296.73 Kbytes Page：12 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAut	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904	文件：207.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S:Fororientat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3904	文件：146.62 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3904	文件：98 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3906	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MMBT3904	文件：205.71 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON Taitron	TAITRON
MMBT3904	文件：261.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBT3906). ●CollectorCurrentCapabilityICM=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3904	文件：110.58 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3904	文件：139.13 Kbytes Page：2 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3904	文件：362.25 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistors MMBT3906isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT3904	文件：114.35 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3904	文件：309.63 Kbytes Page：6 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBT3904	文件：555.38 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
MMBT3904	文件：146.92 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

12 3 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MMBDT3904	PANJIT/强茂	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	MMBDT3904	PANJIT/强茂	2022	SOT-363	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MMBDT3904		PANJIT	SOT363	68900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
深圳市特莱科技有限公司	MMBDT3904	DIODES美台	24+23+	SOT-363	12580	16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市晨豪科技有限公司	MMBDT3904	DIODES/美台	23+	SOT-363	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBDT3904	PANJIT/强茂	23+	NA/	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	MMBDT3946	DIODES/美台		SOT-363	90000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	MMBE	MAXIM	22+	TSSOP..	2250	100%全新原装公司现货供应!随时可发货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	MMBE5231	ON?	2020+	SOT-23?	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!	询价
深圳市益百分电子有限公司	MMBE5231RLT1	ON	94+	SOT23	1200	全新原装进口自己库存优势	询价

更多MMBDT3904供应商更新时间2024-9-21 11:00:00

相关规格书

相关库存